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UV光催化氧化工藝(yì)詳細(xì)說明

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UV光催化氧化工藝(yì)詳細說明

發布日期:2017-01-05 作者:德(dé)爾環保 點擊:

UV光催化氧化工藝

從理論研究到實際(jì)應用,UV光催化氧(yǎng)化工(gōng)藝在廢水(shuǐ)處理和廢氣淨化方麵都是一項成熟的(de)工藝,工藝有效性的關鍵在於紫外線的強(qiáng)度和催化劑的催化能力以(yǐ)及催化時間。從光觸媒(méi)空氣淨化器的光催化廢氣淨化設備,能夠發現許(xǔ)多非常不科學的設計,例如廢氣再(zài)處理設備中的(de)停留時間;催化劑的麵積;催化劑的純度和二(èr)氧化鈦的納米直徑;催化劑的固化結構;紫(zǐ)外線燈的設置,數量、距離等(děng)都直接決定和影響UV光催化(huà)氧化工藝的能力。

二氧化鈦的光(guāng)催化機(jī)理:半導體的能帶結構通常是由一個充滿電子的低能價帶和一個空的高能(néng)價帶構成(chéng),他們(men)之間的區域成為禁帶。禁帶是一個不連續區域。當能量大於(yú)或等於半導體帶隙能的光波輻射此(cǐ)半導(dǎo)體催化劑時,處於價帶的電(diàn)子就(jiù)會被激發到導帶上,價帶(dài)生成空(kōng)穴(xué),從而在半導體表麵產生具有高度活性的空穴電子對。二氧化鈦的帶隙能為3.2ev,相當於波長為387.5nm光子的能量,當二氧化鈦受到波長小於387.5nm的紫外光照(zhào)射時,處於價帶的電(diàn)子就會被激發到導帶上去,從(cóng)而分別在價帶和導(dǎo)帶(dài)上產生(shēng)高活性的光(guāng)生空穴和光(guāng)生電子。在電場(chǎng)的(de)作用下(xià),電子與空穴發生分離,遷移到粒子表麵的不同位置。

相關標簽:UV光(guāng)催(cuī)化氧化工藝

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