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UV光催（cuī）化氧（yǎng）化（huà）工（gōng）藝處理（lǐ）汙染物（wù）是一種新興的技術，其中納米二（èr）氧化鈦光催（cuī）化應用技術工藝簡單、成本低廉（lián），利用自然光即可分解細（xì）菌和（hé）汙染物，具有高催化活性（xìng）、良好的化學穩定性（xìng）和熱（rè）穩定性、無二次汙染、無刺激（jī）性（xìng）、無毒等特點，且（qiě）能長期有益於（yú）生態自然環境，是具有開發前景的綠色環保催化技術（shù）之一。此外，由於（yú）顆粒的細微化，納米材料還具有塊狀材料所不具備的表麵效應、量（liàng）子尺寸效應、小尺寸（cùn）效應和宏觀（guān）量子隧道效應。
熱（rè）力學理論表明，分布在二氧化鈦（tài）表（biǎo）麵的空穴可（kě）以將氫氧根和水分子（zǐ）氧化成氫氧根（gēn）離子，而電子具有很強的還（hái）原性，可使（shǐ）得（dé）固體表麵的電子受體如氧氣被（bèi）還原成臭氧根離子，既可以控製光催化劑上電子和空穴的複合，提高反應效率，同時也是氧化劑，可以氧（yǎng）化已（yǐ）經烴化的反應產物，是表麵烴基自由基的另一個來源。從理論上來書，隻要半導（dǎo）體吸收的光能大於等於其隙能，就能被激發產生光生電子和光生空穴，該（gāi）半導體就可以作為光催化及，但從實際來看，一（yī）個具有實際應用價值的半導體催化劑須具有化學穩定性，光照穩定性和選擇性及較寬的光譜響應（yīng），同時（shí）還要考慮UV光催化氧化工藝（yì）的（de）材料成本等（děng）因素。
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